En effet, l'écriture de la mémoire Flash utilise un processus de piégeage de charges qui stresse, et à la longue, endommage la micro-structure des matériaux. Tu trouveras des explications plus détaillées sur ceci, et sur les différents types de mémoire Flash (NAND vs. NOR, en particulier) sur Internet
Les mémoires Flash utilisent des secteur de taille régulière ou irrégulière, souvent entre 4 et 64 KB. Après l'effacement d'un secteur, qui est une opération assez longue, toute la mémoire de ce secteur contient des bits à 1. Un bit donné de mémoire Flash ne peut être passé à 0 qu'une seule fois avant réécriture. Ce sont ces
cycles écriture / effacement qui stressent les matériaux; à la longue, une des deux opérations peut échouer sur un bit donné, produisant un collage partiel. A ce moment-là, certaines portions de la mémoire ne sont plus fiables pour le stockage et la rétention des données à long terme.
En théorie, oui, un jour, tu es susceptible de ne plus pouvoir archiver/désarchiver les données dans certaines pages. En pratique...
si les TI-eZ80 utilisent de la mémoire Flash donnée pour 10K cycles, ça veut quand même dire que tu peux déclencher, en théorie, 3 garbage collects par jour pendant ~3333j, soit environ 9 ans. En réalité, ce sera probablement moins, sauf s'il y a une techno de
wear leveling dans le chip de Flash, parce que le(s) secteur(s) temporaires utilisés pour la réalisation du garbage collect est/sont davantage sollicité(s). Mais bon - le point général à retenir est qu'
il faut faire exprès pour endommager la mémoire Flash de sa calculatrice, ça ne se produit pas en utilisation
normale.
Avant, beaucoup de mémoires Flash étaient données pour 100K cycles, et on ne précisait pas le nombre de couches puisque personne ne s'était encore amusé à réaliser et vendre des cellules multi-couches. Maintenant, 10K est hélas courant même pour des mémoires SLC; les vilaines MLC, TLC et a fortiori QLC, utilisées pour les Flash NAND de haute capacité qu'on trouve dans les SSD des ordinateurs / smartphones / tablettes / etc., ont des endurances de quelques milliers à quelques centaines (!) de cycles - même pour les modèles soi-disant professionnels - et disposent de technologies de
wear leveling (en français, ça doit se traduire par un truc du genre répartition/étalement/nivellement de l'usure) avancées pour limiter les effets de la faible fiabilité de ce type de stockage. Plus il y a de couches, pires sont la fiabilité, et d'ailleurs la vitesse. Même le moindre mal que représente la MLC NAND est de plus en plus difficile à trouver pour des périphériques de stockage de grande taille, alors la SLC (et pas seulement un cache de SLC devant de la MLC/TLC/QLC, comme on le trouve souvent, y compris dans les nombreuses annonces mal renseignées)...
Par rapport aux disques rotatifs (HDD), les mémoires Flash sont plus rapides à la lecture, en particulier car il n'y a pas de déplacement de la tête qui prend beaucoup de temps, et plus résistantes aux chocs; en revanche, la fiabilité en nombre de cycles est catastrophique...
Certes, la fiabilité des HDDs récents de très haute capacité n'est probablement plus bonne non plus: on a vu apparaître les mêmes ratings en TBW / DWPD sur les HDDs SMR récents comme sur les SSDs Flash... je ne sais pas si c'est parce que les fabricants veulent faire payer plus cher les disques qui ont des nombres TBW / DWPD plus élevés, ou si c'est que les disques sont réellement devenus moins fiables. Probablement un peu des deux...
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